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• 和传统的工艺温度相比,每个unit的驱动系统可以在更高的温度下运行、开发真空搬送机械手来实现搬送系统的稳定性。
• 通过改善反应室的内部结构、气体供给系统,达到长期稳定的TEOS(SiO2)膜速率。
• 通过加热反应气体的通道,在排除设备中的气体排出、抑制配管Trap未使用时的配管副生成物的粘附、可以缩短保养时间。
• 可以轻松的完成单独基板管理,如成膜条件。
• 低温P-Si、α-Si TFT